Name: Cmos Gate-Stack Scaling - Materials, Interfaces and Reliability Implications: 1155 (Mrs Proceedings) (en Inglés)
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Author: Butterbaugh, J.
ISBN: 9781605111285

portada Cmos Gate-Stack Scaling - Materials, Interfaces and Reliability Implications: 1155 (Mrs Proceedings) (en Inglés)

Cmos Gate-Stack Scaling - Materials, Interfaces and Reliability Implications: 1155 (Mrs Proceedings) (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Editorial

Cambridge University Press

Autor

Butterbaugh, J.

Año

2009

Idioma

Inglés

N° páginas

194

Encuadernación

Tapa Dura

ISBN

1605111287

ISBN13

9781605111285

N° edición

Categorías

Ciencia de materiales

Cmos Gate-Stack Scaling - Materials, Interfaces and Reliability Implications: 1155 (Mrs Proceedings) (en Inglés)

Butterbaugh, J. (Autor) · Cambridge University Press · Tapa Dura

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Reseña del libro "Cmos Gate-Stack Scaling - Materials, Interfaces and Reliability Implications: 1155 (Mrs Proceedings) (en Inglés)"

To address the increasing demands of device scaling, new materials are being introduced into conventional Si CMOS processing at an unprecedented rate. Presentations collected here focus on understanding, from a chemistry and materials perspective, the mechanism of interface formation and defects at interfaces, for both conventional Si and alternative channel (Ge or III-V) systems. Several papers address reliability concerns for high-k/metal gate (basic physical models, charge trapping, etc.), while others cover characterization of the thin films and interfaces which comprise the gate stack. Topics include: advanced Si-based gate stacks; and alternate channel materials.

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