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portada Structure-Property Relationships in Surface-Modified Ceramics (en Inglés)
Formato
Libro Físico
Editorial
Idioma
Inglés
N° páginas
528
Encuadernación
Tapa Blanda
Dimensiones
23.4 x 15.6 x 2.7 cm
Peso
0.74 kg.
ISBN13
9789401069311

Structure-Property Relationships in Surface-Modified Ceramics (en Inglés)

Mchargue, C. J. ; Kossowsky, R. ; Hofer, Wolfgang O. (Autor) · Springer · Tapa Blanda

Structure-Property Relationships in Surface-Modified Ceramics (en Inglés) - McHargue, C. J. ; Kossowsky, R. ; Hofer, Wolfgang O.

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Reseña del libro "Structure-Property Relationships in Surface-Modified Ceramics (en Inglés)"

The use of ion beams for the modification of the structure and properties of the near-surface region of ceramics began in earnest in the early 19805. Since the mechanical properties of such materials are dominated by surface flaws and the surface stress state, the use of surface modification tech- niques would appear to be an obvious application. As is often the case in research and development, most of the initial studies can be characterized as cataloging the response of various ceramic materials to a range of ion beam treatments. The systematic study of material and ion beam parameters is well underway and we are now designing experiments to provide specific information about the processing parameter - structure-property rela- tionships. This NATO-Advanced Study Institute was convened in order to assess our current state of knowledge in this field, to identify opportunities and needs for further research, and to identify the potential of such processes for technological application. It became apparent that this class of inorganic compounds, loosely termed ceramics, presents many challenges to the understanding of ion-solid inter- actions, the relationships among ion-beam parameters, materials parameters, and the resulting structures, as well as relationships between structure and properties. In many instances, this understanding will represent a major extension of that learned from the study of metals and semiconductors.

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